半導體外延爐是一種用于晶圓制造的設備。它利用氣相外延技術，在單晶襯底的表面上，根據器件或電路設計所需的電阻和厚度，沿著襯底的晶體方向沉積一層新的單晶。這時，襯底晶片充當種子晶體，而生長出的單晶層則是襯底晶格的延續。因此，外延層是在經過拋光處理的單晶表面上生長的，在晶圓制造過程中，外延層實際上是單晶襯底的延續。
半導體外延爐技術能夠解決高頻功率器件在擊穿電壓和集電極串聯電阻之間的矛盾。摻雜較少的外延層確保了較高的擊穿電壓，而高摻雜的襯底則降低了集電極的串聯電阻。外延爐和化學氣相沉積（CVD，Chemical Vapor Deposition）設備屬于不同的模塊。CVD是指在特定條件下，氣態反應物通過化學反應在基片表面沉積形成固態薄膜的方法。用于鍍膜的設備被稱為薄膜沉積設備，依據不同的反應條件（如壓強和前驅體）的不同又可分為APCVD、LPCVD、PECVD、HDPCVD、ALD等類型。